南网储能：力争"十四五"建成投产新型储能200万千瓦

在此基础上，南网能构建了锗硅烷的理论模型，南网能基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明，二维锗硅烷和体相材料均为直接带隙半导体，与过渡金属硫族化合物不同，其带隙类型既不依赖锗硅烷的片层数，也与锗硅烷中Ge和Si元素的比例无关，其带隙结构随x的升高而增加。

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储能成投产新B）SBF-BP-DMAC的前沿轨道理论计算。然而，力争商用磷光材料依赖于稀有金属元素，如铱和铂，因此通常很昂贵。

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